Nernst-Gleichung

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Die Nernst-Gleichung beschreibt den Einfluss der Konzentration, sowie Temperatur und Druck auf das Spannungspotential von Halbzellen.
Da wir im Modell meist von Standardbedingungen ausgehen, kann man die Temperatur und den Druck normalerweise vernachlässigen.

Daraus ergibt sich dann die vereinfachte Nernst-Gleichung:

E = E^\circ + \frac{RT}{z_e F}\ln\frac{a_\mathrm{Ox}}{a_\mathrm{Red}}